p-NiO/n-Ga2O3ヘテロダイオードの多層傾斜JTE構造のシミュレーション

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-083

グループ名: 【全国大会】令和7年電気学会全国大会論文集

発行日: 2025/03/01

タイトル：p-NiO/n-Ga₂O₃ヘテロダイオードの多層傾斜JTE構造のシミュレーション

タイトル(英語): Simulation of multiple bevel JTE at the termination of p-NiO/n-Ga₂O₃ heterojunction diodes

著者名: 海野凌平（山梨大学）,矢野浩司（山梨大学）,中込真二（石巻専修大学）

著者名(英語): Ryohei Unno (University of Yamanashi),Koji Yano (University of Yamanashi),Shinji Nakagomi (Ishinomaki Senshu University)

キーワード: パワーデバイス|ワイドバンドギャップ半導体|Ga2O3|JTE構造|Power devices|Wide bandgap semiconductor|Ga2O3|JTE structure

要約(日本語): 本研究では，p-NiO/n-Ga?O?ヘテロダイオードの終端部における多層傾斜JTE構造の電界緩和効果をTCADシミュレーションにより解析した。JTE層終端部における傾斜なしおよび傾斜型のJTE構造のp-NiO層とn-Ga?O?層間の界面電界を最適化するため，それぞれの構造における各層のドーピング濃度と電界分布の関係を評価した。その結果，最適なドーピング濃度の場合，終端部の電界集中を効果的に緩和し，耐圧を向上させることが確認された。特に，傾斜型構造では傾斜なしの構造に比べ，JTE層の最適なドーピング濃度を

本誌掲載ページ: 132-134 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 569 Kバイト