トレンチ型SiC MOSFETの動的入力容量のモデル化の検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-084

グループ名: 【全国大会】令和7年電気学会全国大会論文集

発行日: 2025/03/01

タイトル(英語): A Study on Modeling of Dynamic Input Capacitance of SiC Trench MOSFETs

著者名: 西岡大稀（京都工芸繊維大学）,松本和希（京都工芸繊維大学）,高山創（京都工芸繊維大学）,古田潤（岡山県立大学）,小林和淑（京都工芸繊維大学）,新谷道広（京都工芸繊維大学）

著者名(英語): Taiki Nishioka (Kyoto Institute of Technology),Kazuki Matsumoto (Kyoto Institute of Technology),Takayama Hajime (Kyoto Institute of Technology),Jun Furuta (Okayama Prefectural University),Kazutoshi Kobayashi (Kyoto Institute of Technology),Shintani Michih

キーワード: SiC MOSFET|トレンチゲート|デバイスモデリング|入力容量|TCAD|SiC MOSFET|Trench Gate|Device Modeling|Input Capacitance|TCAD Simulation

要約(日本語): SiC MOSFET は，その高耐圧・低損失特性から幅広い分野での利用が進んでいる。そのゲート構造は従来のプレーナ型からトレンチ型に移行している。しかし，従来の入力容量モデルはプレーナ型 MOSFET を基にしており，トレンチ型のためのモデルは存在しない。本研究では，TCAD シミュレーションを用いてスイッチング時のゲート酸化膜容量の変化を解析し，ゲート・ソース間およびゲート・ドレイン間容量の動的変化を考慮した新たな入力容量モデルを提案する。市販のトレンチ型 SiC MOSFET を用いた評価により，提案

本誌掲載ページ: 134-135 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,357 Kバイト