Nベース電位とゲートノイズ測定によるIGBTの帰還容量電圧依存性観測の一検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-086

グループ名: 【全国大会】令和7年電気学会全国大会論文集

発行日: 2025/03/01

タイトル(英語): A Study on the Observation of Voltage Dependence of the Reverse Transfer Capacitance in an IGBT with its N-base Potential and Gate Noise

著者名: 宮井洸輔（九州工業大学）,長谷川一徳（九州工業大学）,平野真希子（東芝インフラシステムズ）,瀧本和靖（東芝インフラシステムズ）,児山裕史（東芝インフラシステムズ）

著者名(英語): Kosuke Miyai (Kyushu Institute of Technology),Kazunori Hasegawa (Kyushu Institute of Technology),Makiko Hirano (Toshiba Infrastructure Systems & Solutions),Kazuyasu Takimoto (Toshiba Infrastructure Systems & Solutions),Yushi Koyama (Toshiba Infras

キーワード: IGBT|帰還容量|電圧依存性|パルス試験|Nベース電位|ゲートノイズ|IGBTs|reverse transfer capacitance|voltage dependence|pulse test|N-base potential|gate noise

要約(日本語): 本論文では，インバータのパルス試験回路におけるIGBTのゲートノイズを測定することで帰還容量の電圧依存性を観測する手法を提案する。IGBTは内部にn-層の電位であるNベース電位を有している。これは端子間電圧と異なるため，直接測定することが困難である。帰還容量はIGBTのNベース電位に対する電圧依存性を有しており，帰還容量とゲートノイズにも密接な関係がある。ダブルパルス試験に追加のパルスを導入する手法により，Nベース電位に差異を生じさせる。パルス試験の条件を変更してゲートノイズを測定することで，直接測定する

本誌掲載ページ: 137-139 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 809 Kバイト