リレー用Si-SJBJT新規DBCパッケージの通電試験

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-087

グループ名: 【全国大会】令和7年電気学会全国大会論文集

発行日: 2025/03/01

タイトル(英語): Conduction tests of Si superjunction bipolar junction transistor mounted in a novel package using a DBC substrate

著者名: 小川修弥（山梨大学）,矢野浩司（山梨大学）,橋本誠（日清紡マイクロデバイス）,小川勉（日清紡マイクロデバイス）

著者名(英語): Shuya Ogawa (University of Yamanashi),Koji Yano (University of Yamanashi),Makoto Hashimoto (Nisshinbo Micro Devices Inc.),Tsutomu Ogawa (Nisshinbo Micro Devices Inc.)

キーワード: スーパージャンクション|接合型バイポーラトランジスタ|パワーデバイス|ソリッドステートリレー|superjunction|bipolar junction transistor|power devices|solid state relay

要約(日本語): 定格200Vの低オン抵抗Si-superjunction bipolar junction transistor （Si-SJBJT）を搭載したヒートシンクレスSSR実現を目指し，SJBJTパッケージのAlワイヤの配線抵抗を減らす為に新規DBCサンプルを試作した。静特性評価では，新規DBCサンプルでは従来のTO-264サンプルよりも，室温で約0.2 mΩcm²，100℃で約0.5 mΩcm²の特性オン抵抗を低減できた。通電試験の結果から，新規DBCサンプルでは，

本誌掲載ページ: 139-141 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 677 Kバイト