SiC-MOSFETを用いたチョッパ回路の高周波駆動の研究

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-088

グループ名: 【全国大会】令和7年電気学会全国大会論文集

発行日: 2025/03/01

タイトル(英語): Research on high frequency drive of chopper circuit using SiC-MOSFET

著者名: 上妻啓太（金沢工業大学）,堀一耀（金沢工業大学）,中田修平（金沢工業大学）

著者名(英語): Keita Kozuma (Kanazawa Institute of Technology),Kazuki Hori (Kanazawa Institute of Technology),Shuhei Nakata (Kanazawa Institute of Technology)

キーワード: SIC-MOSFET|高周波駆動|チョッパ回路|スイッチング損失|SIC-MOSFET|high frequency drive|chopper circuit|switching loss

要約(日本語): SiC-MOSFETは高周波数駆動が可能でありパワエレ機器の小型化に有効であるが，スイッチング損失の増加やスイッチング特性が変動する課題がある。これらの影響を回避するには，より短時間のスイッチングが有効である。本研究では，高周波数かつ短時間のスイッチング動作を行った際の影響を昇圧チョッパ回路にて評価した。出力電圧120V，負荷抵抗120Ωで動作時のターンオフ時の損失は1.8 μJ，ターンオン時の損失は -1.6 μJ となり，出力容量への充電エネルギーがほとんど回収されることが分かった。また，この時の電力

本誌掲載ページ: 141-142 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 386 Kバイト