SiC SBD高温・高湿バイアス試験後の周辺耐圧領域解析

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-090

グループ名: 【全国大会】令和7年電気学会全国大会論文集

発行日: 2025/03/01

タイトル(英語): Analysis of the edge termination areas in SiC SBDs after temperature humidity bias tests

著者名: 阿部洸太（筑波大学）,矢野裕司（筑波大学）,岩室憲幸（筑波大学）

著者名(英語): Kouta Abe (University of Tsukuba),Hiroshi Yano (University of Tsukuba),Noriyuki Iwamuro (University of Tsukuba)

キーワード: SiC SBD|高温・高湿バイアス試験|周辺耐圧構造|陽極酸化|SiC SBD|temperature humidity bias tests|edge termination areas|anodic oxidation

要約(日本語): 高温・高湿バイアス試験（THB試験）後のSiC SBDにおいて，素子耐圧特性が劣化するという事例が報告されている。本研究では1.2-kV SiC SBDにTHB試験1000時間を実施し，その耐圧特性変動並びに素子解析を実施した。その結果，耐圧特性に変化はないものの周辺耐圧構造部のSiCと保護膜間にSiO2が成長していることを確認した。このSiO2は陽極酸化により成長した可能性が高い，と結論付けた。そしてこの陽極酸化によるSiO2の成長により，SiCと保護膜間の剥離が生じることで素子耐圧特性が劣化する可能性

本誌掲載ページ: 143-145 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 566 Kバイト