チョッパ回路におけるVCE（sat）を用いたIGBTモジュールの熱抵抗とボンディングワイヤ抵抗の分離観測

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-092

グループ名: 【全国大会】令和7年電気学会全国大会論文集

発行日: 2025/03/01

タイトル：チョッパ回路におけるV_CE（sat）を用いたIGBTモジュールの熱抵抗とボンディングワイヤ抵抗の分離観測

タイトル(英語): Separate observation of thermal resistance and bonding wire resistance of an IGBT module using V_{CE (sat)} in a chopper circuit

著者名: 郷田幸児（九州工業大学）,長谷川一徳（九州工業大学）,齋藤渉（九州大学）

著者名(英語): Koji Goda (Kyushu Institute of Technology),Kazunori Hasegawa (Kyushu Institute of Technology),Wataru Saito (Kyushu University)

キーワード: IGBT|熱抵抗|ボンディングワイヤ|VCE(sat)|チョッパ回路|IGBTs|thermal resistance|bonding wire|VCE(sat)|chopper circuit

要約(日本語): IGBT ( Insulated Gate Bipolar Transistor )の劣化は，ボンディングワイヤ接合部の劣化と絶縁基板と銅ベースの接合に使用されるはんだ層の劣化の2種類に大別されるため，故障分析にあたってはこれらの要因の分離が必要である。本論文では，チョッパ回路においてIGBTモジュールの劣化前後のV_CE(sat)を用いた劣化原因の分離方法を提案し，1200 V IGBTを用いた実験によりその有効性を実証する。

本誌掲載ページ: 147-149 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 896 Kバイト