パワー半導体デバイスの加速劣化試験におけるin-situ測定に関する検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-095

グループ名: 【全国大会】令和7年電気学会全国大会論文集

発行日: 2025/03/01

タイトル：パワー半導体デバイスの加速劣化試験におけるin-situ測定に関する検討

タイトル(英語): Study on in-situ Measurement in Accelerated Aging Test of Power Semiconductor Devices

著者名: 川井俊輝（千葉工業大学）,林真一郎（千葉工業大学）

著者名(英語): Toshiki Kawai (Chiba Institute of Technology),Shin-Ichiro Hayashi (Chiba Institute of Technology)

キーワード: 加速劣化試験|状態監視|長期信頼性|パワー半導体デバイス|Accelerated aging test|Condition monitoring|Long-term reliability|Power semiconductor devices

要約(日本語): WBG（Wide Band Gap）パワー半導体デバイスは，今後ますます導入が進むとみられる。半導体技術の標準化を推進するJEDECでは，連続スイッチング条件下においてWBGパワー半導体デバイスの加速劣化試験を実施する規格を制定した。当該規格においては，加速劣化試験中のDUT（Device Under Test）の電気的特性を試験に影響を与えることなく測定することが望ましいと記載されているが，その手法は明記されていない。そこで，本研究では加速劣化試験を中断することなくDUTの電気的特性を測定する回路（

本誌掲載ページ: 152-153 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 514 Kバイト