三相インバータにおける直流電流出力を用いたパワー半導体個別素子モニタリングの基礎検討

カテゴリ: 全国大会

論文No: 4-096

グループ名: 【全国大会】令和7年電気学会全国大会論文集

発行日: 2025/03/01

タイトル(英語): Basic study of individual monitoring of power semiconductor devices in a three-phase inverter using its DC output current

著者名: 若井愛里（九州工業大学）,長谷川一徳（九州工業大学）

著者名(英語): Airi Wakai (Kyushu Institute of Technology),Kazunori Hasegawa (Kyushu Institute of Technology)

キーワード: IGBT|三相インバータ|直流電流|センサレスモニタリング|オン電圧|IGBTs|three-phase inverters|DC current|sensor-less monitoing|on-state voltage

要約(日本語): IGBTモジュールはハンダ層の劣化に伴う温度上昇と，ボンディングワイヤの劣化に伴う電気抵抗の増加により，コレクタ・エミッタ間のオン電圧V_CE(sat)が増加する。筆者らは先に，三相PWMインバータの出力電流かV_CE(sat)をモニタリングする手法を提案している。この手法では三相インバータ内すべてのIGBTとダイオードの平均した劣化検出を実現している。実用上では，個別のIGBT・ダイオードの劣化を検出できるとさらなる信頼性向上に

本誌掲載ページ: 153-155 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 861 Kバイト