回路動作モデルに立脚したパワーデバイス単体のスイッチング波形の評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 5-145

グループ名: 【全国大会】令和7年電気学会全国大会論文集

発行日: 2025/03/01

タイトル(英語): Evaluation of Switching Waveforms of Individual Power Devices Based on Circuit Behavior

著者名: 大山結有花（早稲田大学）,川﨑颯哉（早稲田大学）,中村洋（早稲田大学）,近藤圭一郎（早稲田大学）,石川勝美（日立製作所）,金子貴志（日立製作所）

著者名(英語): Yuka Oyama (Waseda University),Soya Kawasaki (Waseda University),Hiroshi Nakamura (Waseda University),Keiichiro Kondo (Waseda University),Katsumi Ishikawa (Hitachi,Ltd.),Takashi Kaneko (Hitachi,Ltd.)

キーワード: パワーデバイス|ダブルパルス試験|損失モデル|IGBT|ゲート抵抗|寄生インダクタンス|power device|double pulse test|loss model|IGBT|gate resistance|parasitic inductance

要約(日本語): 1990年代半ば以降，鉄道車両駆動用電力変換装置の多くにIGBTが用いられてきた。一方で，近年SiC-MOSFET適用よって，電力変換回路の高効率化が進み，電力変換回路の損失計算の重要度が増している。従来のデバイスの素子損失の計算は，各デバイスのデータシートから近似式を導出する例があるが，実際の電力変換回路中で動作するデバイスの素子損失とデバイス単体の素子損失とには差がある。本稿では，この差を考慮した簡易的な損失モデル構築に向けて，ダブルパルス試験によって得られるSi-IGBT単体のスイッチング波形の簡易的なモデル化を行う。そしてゲート抵抗が及びターンオフ時のサージ電圧に影響を与えるため，スイッチング損失の観点から，適切なRGを探すことを目的とし，モデル化波形を利用してとターンオフ時スイッチング損失の関係を検討する。

本誌掲載ページ: 226-228 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 598 Kバイト