SiC-MOSFETを用いたモデル低電圧DC遮断器による限流遮断プロセスの測定 ―限流抵抗2-30Ω―

カテゴリ: 全国大会

論文No: 6-039

グループ名: 【全国大会】令和7年電気学会全国大会論文集

発行日: 2025/03/01

タイトル(英語): Direct current limitation and interruption with model low-voltage circuit breaker constructed of SiC-MOSFET -current limiting registance of 2-30Ω-

著者名: 酒井燦（名古屋大学）,横水康伸（名古屋大学）,兒玉直人（名古屋大学）,岩田幹正（名古屋大学）,中村綾花（名古屋大学）,浦井一（東洋大学）

著者名(英語): Akira Sakai (Nagoya University),Yasunobu Yokomizu (Nagoya University),Naoto Kodama (Nagoya University),Mikimasa Iwata (Nagoya University/IMaSS),Ayaka Nakamura (Nagoya University/IMaSS),Hajime Urai (Toyo University)

キーワード: 直流遮断器|SiC-MOSFET|限流|低電圧大電流|DC Circuit Breaker|SiC-MOSFET|Current limiting|Low-voltage DC High Current

要約(日本語): SiC系MOSFET のスイッチング機能を用いた低電圧DC 遮断方法として，電気抵抗による限流機能を具備したモデル遮断器の回路構成・仕様を検討してきた。さらに，同モデル遮断器を試作し，DC 電源電圧200V 下での電流遮断および過渡的発生電圧を提示し，さらにFET 接合部の温度上昇も明らかにしてきた。筆者らは，現在200-400Vにおける同モデル遮断器によるDC限流遮断とその測定を考えている。本報告では，電源電圧を400Vに設定し，モデル遮断器による直流遮断とその過程における半導体端子間電圧の推移を述べている。

本誌掲載ページ: 47-48 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 455 Kバイト