逆阻止型IGBTの極低温冷却下の導通損失評価

カテゴリ: 全国大会

論文No: 7-043

グループ名: 【全国大会】令和7年電気学会全国大会論文集

発行日: 2025/03/01

タイトル(英語): On-state loss evaluation of RB-IGBT under cryogenic cooling

著者名: 増田光希（明治大学）,許航（明治大学）,野村新一（明治大学）,力石浩孝（核融合科学研究所）

著者名(英語): Mitsuki Masuda (Meiji University),Hang Xu (Meiji University),Shinichi Nomura (Meiji University),Hirotaka Chikaraishi (National Institute for Fusion Science)

キーワード: 核融合プラント|逆阻止型IGBT|DC電源|低温|低損失低電圧大電流|超電導マグネット|Nuclear Fusion Plant|Reverse Blocking IGBT|DC power supply|Low temperature|Low loss, Low voltage, High current|Superconducting magnets

要約(日本語): 本研究は，超電導マグネットの電源設備の小型化・低損失化を目標としており，特に逆阻止型IGBTのオン抵抗が低温でどう変化するかを検討する。超電導マグネットの電源には数十kA程の電流容量が必要であり，従来のサイリスタは導通損失が大きいため設備が大型化するという問題点がある。低温下では格子振動の抑制によるオン抵抗の減少とキャリア密度の減少によるオン抵抗が増加のバランスが重要となる。実験結果より，小電流通電時にはオン抵抗が増加し，大電流通電時にはほぼ変化しないことが確認された。これは，半導体素子の発熱によりジャンクション―パッケージ間に温度勾配が生じ，熱電対による温度測定がジャンクション温度の推定に寄与していない可能性が考えられる。今後は熱電対の配置数を増やし実験するとともに，パッケージの熱特性を調べる。

本誌掲載ページ: 74-76 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 540 Kバイト