RbN3パターニング基板を用いたMEMSガスセルのウェハレベル製造技術

カテゴリ: 全国大会

論文No: S20-1

グループ名: 【全国大会】令和7年電気学会全国大会論文集

発行日: 2025/03/01

タイトル：RbN₃パターニング基板を用いたMEMSガスセルのウェハレベル製造技術

著者名: 清瀬俊（京都大学）,島田弥力（東洋紡エムシー）,堀靖志（マイクロジェット）,小田切雄介（ネオアーク）,波多野智（ネオアーク）,矢野雄一郎（情報通信研究機構）,五箇繁善（東京都立大学）,平井義和（京都大学）,原基揚（情報通信研究機構）

本誌掲載ページ: 1-4 p

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