InP系MOS-HEMTによるサブテラヘルツ帯パワーアンプ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23020

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2023/03/24

タイトル(英語): Sub-Terahertz Power Amplifiers Using InP-Based MOS-HEMTs

著者名: 熊崎 祐介(富士通),尾崎 史朗(富士通),岡本 直哉(富士通),原 直紀(富士通),中舍 安宏(富士通),佐藤 優(富士通),多木 俊裕(富士通)

著者名(英語): Kumazaki Yusuke(Fujitsu),Shiro Ozaki(Fujitsu),Naoya Okamoto(Fujitsu),Naoki Hara(Fujitsu),Yasuhiro Nakasha(Fujitsu),Masaru Sato(Fujitsu),Toshihiro Ohki(Fujitsu)

キーワード: 増幅器|高電子移動度トランジスタ|テラヘルツ|３００ＧＨｚ帯|６Ｇ|power amplifier|HEMT|terahertz|300-GHz-band|6G

要約(日本語): 本研究では高効率なサブテラヘルツ帯パワーアンプをInP系MOS-HEMTで実現した。Al2O3ゲート絶縁膜の適用とドレイン側アクセス領域の最適化により、トランジスタのDCおよびRF特性を改善した。広帯域で共役整合する段間回路を付与することでユニットPAあたりのS21を最大化し、サブテラヘルツ帯PA-MMICとして非常に優れたPAEと、6Gで活用が期待される周波数をカバーする広帯域特性を実現した。

要約(英語): This work shows a high-efficiency power amplifier (PA) monolithic microwave integrated circuit (MMIC) that uses InP-based metal?oxide?semiconductor (MOS) high-electron-mobility transistors (HEMTs). Al2O3 gate electric with H2O vapor treatment was adopted to reduce gate leakage current and increase drain current. The length of the drain-side access region was optimized to simultaneously obtain high power and efficiency. A common-source PA MMIC based on InP-based MOS-HEMTs was fabricated, and an interstage circuit was designed to maximize the S21 per unit stage in the broadband, resulting in a record-high power-added efficiency and wide bandwidth.

本誌: 2023年3月27日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 7-12 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,263 Kバイト