InPデバイス高密度異種集積に向けたWaferLevelPackage技術の製造課題と解決へのアプローチ

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23021

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2023/03/24

タイトル(英語): Solutions Strategies for Fabrication Challenges in Wafer Level Pachaging Optimized for High-density Heterogeneous Integration of InP Devices

著者名: 荒木 友輔(日本電信電話),白鳥 悠太(日本電信電話),中島 史人(日本電信電話)

著者名(英語): Yusuke Araki(NTT Corporation),Yuta Shiratori(NTT Corporation),Fumito Nakajima(NTT Corporation)

キーワード: ウエハレベルパッケージ|ＩｎＰ|Ｂｅｙｏｎｄ　５Ｇ|ウエハ反り|ダイシフト|チップクラック|wafer level package|InP|Beyond 5G|warpage|die shift|chip crack

要約(日本語): InP超高速ICは、THz帯域を用いたBeyond 5G無線通信におけるアナログフロントエンドICとして期待されている。その応用に向けては、THz帯の伝搬損失を抑制しつつSi集積回路の統合も視野に入れた超小型パッケージング技術が課題となる。我々はウェハレベルパッケージ（WLP）技術に基づくTHz帯異種集積化技術の研究を進めている。本発表では、WLPにおける重要課題"モールド基板反り・ダイシフト"及びInPチップ破壊抑制の取組みを紹介する。

要約(英語): InP-IC is expected as an analog front-end IC in Beyond 5G wireless communication using THz band. We are developing Wafer Level Packaging technology optimized for high-density heterogeneous integration of InP devices to reallize low loss connections. In this presentation, we will report solution strategies for wafer warpage, die shift and thin chip cracking problems.

本誌: 2023年3月27日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 13-18 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 680 Kバイト