内蔵SBDの新規配置構造による、SiC-MOSFETのRonA-逆導通信頼性トレードオフの改善

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23022

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2023/03/24

タイトル(英語): Design guidelines for SBD integration into SiC-MOSFET breaking RonA- diode conduction capability trade-off

著者名: 朝羽 俊介(東芝デバイス&ストレージ/東芝),古川 大(東芝デバイス&ストレージ),楠本 雄司(東芝デバイス&ストレージ),飯島 良介(東芝),河野 洋志(東芝デバイス&ストレージ)

著者名(英語): Shunsuke Asaba(Toshiba Electronic Devices & Storage/Toshiba),Masaru Furukawa(Toshiba Electronic Devices & Storage),Yuji Kusumoto(Toshiba Electronic Devices & Storage),Ryosuke Iijima(Toshiba),Hiroshi Kono(Toshiba Electronic Devices & Storage)

キーワード: ＳｉＣ|ＭＯＳＦＥＴ|ＳＢＤ内蔵|SiC|MOSFET|embedded- SBD

要約(日本語): セル部にSchottky Barrier Diodeを統合したSBD内蔵SiC-MOSFETは、ダイオード通電時の信頼性に優れる一方で、チャネル密度が低いためオン抵抗が高い課題がある。今回、SBDの配置パターンを従来のストライプから市松模様に変更することで、高いチャネル密度を保ちながら均一なSBD配置が可能となり、信頼性とオン抵抗のトレードオフ関係の改善を実証した。

要約(英語): SiC-MOSFETs with embedded- Schottky Barrier Diode have good reliability against diode conduction, however, on-resistance is high due to its low channel density. In this paper, the developed SBD distribution with checker pattern was examined and improvement in trade-off relation with reliability and on-resistance was demonstrated.

本誌: 2023年3月27日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 19-23 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 915 Kバイト