1.2 kV耐圧SiCトレンチMOSFET内蔵ダイオード順方向サージ電流耐量の解析

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23023

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2023/03/24

タイトル(英語): Analysis of surge current capability of internal pin diodes in 1.2 kV SiC trench MOSFETs

著者名: 北村 雄大(筑波大学),岩室 憲幸(筑波大学),矢野 裕司(筑波大学),原田 信介(産業技術総合研究所),佐藤 弘(産業技術総合研究所)

著者名(英語): Yudai Kitamura(University of Tsukuba),Noriyuki Iwamuro(University of Tsukuba),Hiroshi Yano(University of Tsukuba),Shinsuke Harada(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology (AIST)),Hiroshi Sato(National Institute of Advanced Industri

キーワード: ＳｉＣトレンチＭＯＳＦＥＴ|内蔵ｐｉｎダイオード|順方向サージ電流耐量|Ｃｕブロック|SiC trench MOSFET|Internal pin diodes|Surge current capability|Cu block

要約(日本語): 1.2 kV耐圧のSiCトレンチMOSFETにおいて、内蔵ダイオードの順方向サージ電流耐量を確保することは非常に重要である。本研究では、デバイス表面に熱容量の大きいCuブロックを付加した際に試験中のデバイス内部の放熱性が改善し、温度上昇が抑制されることで、順方向サージ電流耐量が向上することを実験的に示した。この結果はSiCトレンチMOSFETの信頼性向上に資する重要な研究成果と言える。

要約(英語): In this study, we experimentally demonstrated that an enhanced surge current capability of internal pin diodes in 1.2-kV SiC trench MOSFETs that have thick Cu heat capacitance blocks attached to chip surfaces. The MOSFETs achieved a significant improvement of 57 % in surge current capability, owing to the suppression of lattice temperature rise. Also, it is noted that there was no sacrifice of static characteristics such as I-V curves in the first and third quadrants of the MOSFETs.

本誌: 2023年3月27日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 25-30 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,097 Kバイト