オーミック金属下n-GaNにおける電子移動度向上: 多端子ホール測定による評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23024

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2023/03/24

タイトル(英語): Electron mobility enhancement in n-GaN under Ohmic-metal: characterization by multi-probe-Hall measurement

著者名: 瓜生 和也(北陸先端科学技術大学院大学/ アドバンテスト研究所),Deng Yuchen (北陸先端科学技術大学院大学),Le Son Phuong (Linkoping大学),鈴木 寿一(北陸先端科学技術大学院大学)

著者名(英語): Kazuya Uryu(Japan Advanced Institute of Science and Technology/ Advantest Laboratories Ltd.),Yuchen Deng(Japan Advanced Institute of Science and Technology),Son Phuong Le(Linkoping University),Toshi-kazu Suzuki(Japan Advanced Institute of Science and Te

キーワード: ｎ型ＧａＮ|多端子ホール測定|オーミックコンタクト|n-GaN|multi-probe-Hall measurement|Ohmic contact

要約(日本語): 半導体内部の電気特性は, オーミック金属形成により変化する. 我々はこれまでに, 多端子ホール測定によりオーミック金属下半導体におけるシート抵抗, キャリア密度および移動度を評価する手法を提案した. 本報告では, 多端子ホール測定による特性評価法をオーミック金属下n-GaNへ適用し, オーミック金属下における電子移動度が分極ドーピングにより向上していることを明らかにする.

要約(英語): Electrical properties of semiconductors are modified by formation of Ohmic-metals. Previously, by using multi-probe-Hall devices, we proposed a characterization method for the sheet resistance, the carrier concentration, and the carrier mobility. In this report, applying the method to n-GaN, we elucidate that, under an Ohmic-metal, the electron mobility is enhanced by polarization doping.

本誌: 2023年3月27日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 31-36 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 3,044 Kバイト