高抵抗炭素ドープGaNバッファ上N極性GaN HEMTの高周波特性評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD23025

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2023/03/24

タイトル(英語): RF characteristics of N-polar GaN HEMT with high-resistivity C-doped GaN buffer

著者名: 吉屋 佑樹(日本電信電話株式会社),星 拓也(日本電信電話株式会社),堤 卓也(日本電信電話株式会社),杉山 弘樹(日本電信電話株式会社),中島 史人(日本電信電話株式会社)

著者名(英語): Yuki Yoshiya(NTT Corporation),Takuya Hoshi(NTT Corporation),Takuya Tsutsumi(NTT Corporation),Hiroki Sugiyama(NTT Corporation),Fumito Nakajima(NTT Corporation)

キーワード: Ｎ極性ＧａＮ|ＧａＮ　ＨＥＭＴ|高抵抗バッファ|炭素ドープ|高周波特性|N-polar GaN|GaN HEMT|high-resistivity buffer|carbon-doped|RF characteristics

要約(日本語): N極性GaNはMOCVD法で成長する際にGa極性と比較して酸素を取込みやすく、残留キャリア密度が高くなりやすい。これはHEMT動作時にバッファリークの要因となり、RFデバイスにおいて高周波化を制限する。今回リーク抑制のために炭素ドープによって高抵抗化したGaNバッファを採用した。この高抵抗CドープGaNバッファ上にN極性GaN HEMTを作製し高周波特性を評価した結果を報告する。

要約(英語): N-polar GaN tends to incorporate more oxygen than Ga-polar GaN in growth by MOCVD. Oxygen impurities cause high residual carrier density and result in buffer leakage. Buffer leakage limits RF characteristics of GaN HEMT. To suppress buffer leakage, we use high-resistivity carbon-doped GaN buffer. In this report, we evaluate RF characteristics of N-polar GaN HEMT on high-resistivity C-doped GaN buffer.

本誌: 2023年3月27日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 37-40 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 738 Kバイト