減衰振動電流の生成によるDC限流遮断―SiC-MOSFET素子を用いた低電圧DC遮断とその基礎検討―

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EPP23050,SA23034,SP23002

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 放電・プラズマ・パルスパワー/【B】電力・エネルギー部門 静止器/【B】電力・エネルギー部門 開閉保護合同研究会

発行日: 2023/07/16

タイトル(英語): Direct Current limitation and interruption by means of generation of damping oscillation current -Low Voltage DC interruption with SiC-MOSFETs and its fundamental investigation-

著者名: 長谷川 海渡(名古屋大学),横水 康伸(名古屋大学),岩田 幹正(名古屋大学),兒玉 直人(名古屋大学)

著者名(英語): Kaito Hasegawa(Nagoya University),Yasunobu Yokomizu(Nagoya University),Mikimasa Iwata(Nagoya University),Naoto Kodama(Nagoya University)

キーワード: 遮断器|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|限流|減衰振動電流|数値シミュレーション|低電圧直流大電流|Circuit breaker|SiC-MOSFET|Current limiting|Damping oscillation current|Numerical simulation|Low-voltage large direct current

要約(日本語): 筆者らは，SiC系MOSFET半導体を用いた低電圧DC遮断として，DCに減衰振動電流を重畳させ，ひいては電流を遮断する方式を検討してきた。そして，その数値計算モデルを構築し，遮断計算を行ってきた。本報告では，モデル遮断器に1000 Aの直流電流遮断責務を課した。この時，電源電圧は380V，遮断器回路内の抵抗値を5~15Ω，静電容量の値を4μFに設定した。得られた計算結果から，DC遮断プロセスと半導体端子間電圧の推移を算出した。

要約(英語): As a low-voltage DC circuit breaker using SiC-MOSFETs, we have considered a method of superimposing damped oscillating current on DC, which in turn interrupts the current. This paper reports the result for interruption of direct current imposed on a numerical model for the circuit breaker. From the results, the current through the model circuit breaker and the voltage between the terminals were evaluated.

本誌: 2023年7月19日-2023年7月20日放電・プラズマ・パルスパワー/静止器/開閉保護合同研究会-1

本誌掲載ページ: 7-11 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,163 Kバイト