SiC-MOSFETを?いたモデル低電圧DC遮断器による限流遮断プロセス―電源電圧100～400 V下での測定―

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EPP23095,SP23037,HV23066

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門 放電・プラズマ・パルスパワー/【B】電力・エネルギー部門 開閉保護/【B】電力・エネルギー部門 高電圧合同研究会

発行日: 2023/11/03

タイトル(英語): Direct Current limitation and interruption with model low-voltage circuit breaker constructed of SiC-MOSFET: Measurement for source voltage of 100 to 400 V

著者名: 長谷川 海渡(名古屋大学),横水 康伸(名古屋大学),岩田 幹正(名古屋大学),兒玉 直人(名古屋大学)

著者名(英語): Kaito Hasegawa(Nagoya University),Yasunobu Yokomizu(Nagoya University),Mikimasa Iwata(Nagoya University),Naoto Kodama(Nagoya University)

キーワード: 遮断器|ＳｉＣ－ＭＯＳＦＥＴ|低電圧ＤＣ|限流|実験|等価熱回路|Circuit breaker|SiC-MOSFET|Low-voltage direct current|Current limiting|Experiment|Equivalent thermal circuit

要約(日本語): 筆者らは，SiC系MOSFET半導体を用いた低電圧DC遮断方法として，電気抵抗による限流機能を具備したモデル遮断器の構成および仕様を検討してきた。さらに，同モデル遮断器を試作し，DC電源電圧120 V下での電流遮断プロセスを提示してきた。本報告では，モデル遮断器の限流抵抗値を2Ω，電源電圧を100V～400Vに設定し，25A～100Aの直流遮断責務を課した。この時，モデル遮断器を流れる電流を測定し，DC限流遮断プロセスを評価した。

要約(英語): As a low-voltage DC circuit breaker using SiC-MOSFETs, we have considered a method of current limiting by electrical resistance. This paper reports the result for interruption of direct current imposed on experiments on actual circuit breaker. From the results, the current through the model circuit breaker was evaluated.

本誌: 2023年11月6日-2023年11月7日放電・プラズマ・パルスパワー/開閉保護/高電圧合同研究会-2

本誌掲載ページ: 19-23 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,252 Kバイト