MOSFETのPN接合ダイオードを用いたICチップ上の温度検知

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: ECT23063

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子回路研究会

発行日: 2023/12/05

タイトル(英語): Temperature sensing on IC chip using PN junction diode of MOSFET

著者名: 原田 崇寛(明治大学),島田 義久(トレックス・セミコンダクター),大川 智(トレックス・セミコンダクター),吉野 理貴(法政大学),関根 かをり(明治大学)

著者名(英語): Takahiro Harada(Meiji University),Yoshihisa Shimada(TOREX SEMICONDUCTOR),Satoshi Ookawa(TOREX SEMICONDUCTOR),Michitaka Yoshino(Hosei University),Kawori Sekine(Meiji University)

キーワード: サーマルレギュレーション回路|ＰＴＡＴ電圧発生回路|ＰＮ接合ダイオード|Ｓｉチップ|温度分布|ダイオードの温度特性|thermal regulation circuit|PTAT voltage generation circuit|PN Junction Diode|Si chip|temperature distribution|temperature characteristics of diode

要約(日本語): 微細化に伴いICチップ上にエネルギーの集中による温度の高い部分が生じ、回路性能に悪影響を及ぼすことが問題となっている。そのため、ICチップ上の温度分布を検知して温度管理をすることが求められている。本研究では、MOSFETのpn接合ダイオードの電圧電流特性を測定することで、ICチップ上の温度分布が発熱する回路からの距離により異なること、一定時間経過後はチップ内温度が均一となることを確認した。

要約(英語): There is a need to detect temperature distribution on IC chips for temperature control. In this study, by measuring the voltage-current characteristics of a MOSFET PN junction diode, we confirmed that the temperature detection for heat sink by MOSFETs and uniformity of the temperature on Si chip after some minutes.

本誌: 2023年12月8日電子回路研究会

本誌掲載ページ: 1-5 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,427 Kバイト