高fT,fmaxを有するダブルドープGaInSbチャネルHEMT

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD24029

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2024/07/02

タイトル(英語): Double-doped GaInSb Channel HEMTs with High fT and fmax

著者名: 遠藤 聡(東京理科大学),吉田 陸人(東京理科大学),河野 亮介(東京理科大学),海老原 怜央(東京理科大学),神内 智揮(東京理科大学),渡邊 一世(情報通信研究機構),山下 良美(情報通信研究機構),町田 龍人(情報通信研究機構),原 紳介(情報通信研究機構),笠松 章史(情報通信研究機構),藤代 博記(東京理科大学)

著者名(英語): Akira Endoh(Tokyo University of Science),Rikuto Yoshida(Tokyo University of Science),Ryosuke Kouno(Tokyo University of Science),Reo Ebihara(Tokyo University of Science),Tomoki Jinnai(Tokyo University of Science),Issei Watanabe(National Institute of Information and Communications Technology),Yoshimi Yamashita(National Institute of Information and Communications Technology),Ryuto Machida(National Institute of Information and Communications Technology),Shinsuke Hara(National Institute of Information and Communications Technology),Akifumi Kasamatsu(National Institute of Information and Communications Technology),Hiroki Fujishiro(Tokyo University of Science)

キーワード: 高電子移動度トランジスタ|ＧａＩｎＳｂ|ダブルドープ構造|薄バリア|遮断周波数|最大発振周波数|HEMT|GaInSb|double-doped structure|thin barrier|cutoff frequency|maximum oscillation frequency

要約(日本語): ダブルドープ構造を有するGaInSbチャネルHEMTを作製した。バリア層の薄膜化というスケーリングに加えて、ダブルドープ構造を採用することで、真性遅延時間を短縮し寄生抵抗を低減することに成功した。遮断周波数fTとして340 GHz、最大発振周波数fmaxとして450 GHzが得られた。

要約(英語): We fabricated double-doped GaInSb channel HEMTs. By thinning the barrier layer and adopting a double-doped structure, we have succeeded in shortening the intrinsic delay time and reducing the parasitic resistance. We obtained cutoff frequency fT of 340 GHz and maximum oscillation frequency fmax of 450 GHz.

本誌: 2024年7月5日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 1-5 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 576 Kバイト