ダイヤモンド放熱基板を用いたGaN HEMT大面積化にむけた取組み

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD24030

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2024/07/02

タイトル(英語): Challenge to large area of GaN HEMTs using a diamond substrate as a heat spreader

著者名: 白柳 裕介(三菱電機/熊本大学),友久 伸吾(三菱電機),長永 隆志(三菱電機),笠村 啓司(熊本大学),豊田 洋輝(熊本大学),久保田 章亀(熊本大学),松前 貴司(産業総合技術研究所),倉島 優一(産業総合技術研究所),高木 秀樹(産業総合技術研究所)

著者名(英語): Yusuke Shirayanagi(Mitsubishi Electric, Kumamoto University),Shingo Tomohisa(Mitsubishi Electric),Takashi Takenaga(Mitsubishi Electric),Keiji Kasamura(Kumamoto University),Hiroki Toyoda(Kumamoto University),Akihisa Kubota(Kumamoto University),Takashi Matsumae(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Yuichi Kurashima(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology),Hideki Takagi(National Institute of Advanced Industrial Science and Technology)

キーワード: 窒化ガリウム|高電子移動度トランジスタ|高周波デバイス|ダイヤモンド|接合|研磨|GaN|HEMT|GaN-on-Diamond|Diamond|Bonding|Polishing

要約(日本語): 常温表面活性化接合法を用いて、1インチサイズ以上のモザイクダイヤモンド基板に対しGaN-HEMTを接合し、GaN on Diamondを作製することに成功した。GaN-HEMT、ダイヤモンド基板双方の表面においては面内平均粗さ（Sa）が0.3nm以下に平滑化され、接合デバイスでの接合率が95%以上であった。

要約(英語): 1-inch size GaN-on-Diamond high electron mobility transistors (GoD HEMTs) has been successfully fabricated using surface-activated room-temperature bonding of a substrate where GaN HEMTs are formed on mosaic diamond substrate. The bonding area of over 95% is achieved due to the limited surface average roughness of less than 0.3nm for both bonding substrate surfaces.

本誌: 2024年7月5日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 7-11 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,153 Kバイト