ミストCVD法によるGaN系半導体向け絶縁ゲート構造の作製と評価

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD24032

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2024/07/02

タイトル(英語): Insulated gate structures for GaN-based devices using mist-CVD method

著者名: 谷田部 然治(熊本大学),ラズアン ハディラ(熊本大学),尾藤 圭悟(熊本大学),福光 将也(熊本大学),越智 亮太(北海道大学),中村 有水(熊本大学),佐藤 威友(北海道大学)

著者名(英語): Zenji Yatabe(Kumamoto University),Hadirah Radzuan(Kumamoto University),Keigo Bito(Kumamoto University),Masaya Fukumitsu(Kumamoto University),Ryota Ochi(Hokkaido University),Yusui Nakamura(Kumamoto University),Taketomo Sato(Hokkaido University)

キーワード: ミスト化学気相成長法|窒化ガリウム|ゲート絶縁膜|界面準位|ＭＩＳ|Mist-CVD|GaN|Gate insulator|Interface state density|MIS

要約(日本語): 窒化ガリウム(GaN)系半導体は次世代のパワー・高周波デバイスとして期待されている。順バイアス動作時のゲートリーク電流抑制のために金属-絶縁体-半導体(MIS)構造が用いられる。本研究では原料溶液の超音波霧化と熱分解反応によって大気圧下で低コストに酸化物薄膜が堆積可能なミスト化学気相成長(CVD)法をGaN系MISデバイスのゲート絶縁膜堆積プロセスに適用した。ミストCVD法で堆積したmist-Al2O3薄膜の膜質、及びmist-Al2O3/GaN界面特性について報告をする。

要約(英語): GaN-based transistors are promising for high-power and high-frequency devices. A gate insulator plays an important role in blocking the leakage current. In this study, we report on the deposition of Al2O3 thin films by mist-CVD method. Finally, we have characterized GaN-based MIS capacitors using Al2O3 insulator deposited by mist-CVD.

本誌: 2024年7月5日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 13-17 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 541 Kバイト