分布型分極ドーピングによるAlN系縦型p-nダイオードの実証

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD24033

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2024/07/02

タイトル(英語): Demonstration of AlN-Based Vertical p-n Diodes with Distributed Polarization Doping

著者名: 隈部 岳瑠(名古屋大学),吉川 陽(旭化成),川崎 晟也(名古屋大学),久志本 真希(名古屋大学),本田 善央(名古屋大学),新井 学(名古屋大学),須田 淳(名古屋大学),天野 浩(名古屋大学)

著者名(英語): Takeru Kumabe(Nagoya University),Akira Yoshikawa(Asahi Kasei),Seiya Kawasaki(Nagoya University),Maki Kushimoto(Nagoya University),Yoshio Honda(Nagoya University),Manabu Arai(Nagoya University),Jun Suda(Nagoya University),Hiroshi Amano(Nagoya University)

キーワード: 窒化アルミニウム|パワー半導体デバイス|伝導性制御技術|分極ドーピング|Aluminum nitride|Power semiconductor devices|Conductivity control|Polarization doping

要約(日本語): AlNおよび高Al組成AlGaNは次世代のパワーデバイス材料として期待されている．しかし，AlN系材料では不純物ドーピングによる伝導性制御が困難であるため，良好な電気的特性を示す縦型パワーデバイスは実現されていなかった．これまでに，我々は，窒化物半導体の分極効果を活用して高Al組成AlGaNの伝導性を制御し，良好な電気特性を示すAlN系縦型p-nダイオードを実現してきた．本講演では，「分極ドーピング」とデバイス応用について紹介する．

要約(英語): AlN and high-Al-content AlGaN attract attention as materials for next-generation electronic device applications. Despite its potential, no high-performance AlN-based vertical power devices were reported owing to the difficulty on controlling conductivity by impurity doping. To date, we have demonstrated ideal AlN-based p-n diodes by utilizing the polarization effect for controlling the conductivity of high-Al-content AlGaN. In this lecture, we report on the basics and application of "polarization doping".

本誌: 2024年7月5日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 19-23 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,268 Kバイト