原子層堆積法で形成したAlN界面層によるAlSiO/p-GaN MOSFETのチャネル移動度向上としきい値制御

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD24034

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2024/07/02

タイトル(英語): Improvement of channel mobilities and control of threshold voltages in AlSiO/p-GaN MOSFETs using AlN interlayers formed by plasma-enhanced atomic layer deposition

著者名: 伊藤 健治(豊田中央研究所),成田 哲生(豊田中央研究所),井口 紘子(豊田中央研究所),岩崎 四郎(豊田中央研究所),菊田 大悟(豊田中央研究所),狩野 絵美(名古屋大学),五十嵐 信行(名古屋大学),兼近 将一(名古屋大学),冨田 一義(名古屋大学),堀田 昌宏(名古屋大学),須田 淳(名古屋大学)

著者名(英語): Kenji Ito(TOYOTA CENTRAL R&D LABS., INC.),Tetsuo Narita(TOYOTA CENTRAL R&D LABS., INC.),Hiroko Iguchi(TOYOTA CENTRAL R&D LABS., INC.),Shiro Iwasaki(TOYOTA CENTRAL R&D LABS., INC.),Daigo Kikuta(TOYOTA CENTRAL R&D LABS., INC.),Emi Kano(Nagoya University),Nobuyuki Ikarashi(Nagoya University),Masakazu Kanechika(Nagoya University),Kazuyoshi Tomita(Nagoya University),Masahiro Horita(Nagoya University),Jun Suda(Nagoya University)

キーワード: 窒化ガリウム|ＭＯＳＦＥＴ|分極電荷|原子層堆積法|窒化アルミニウム|チャネル移動度|GaN|MOSFET|polarization charge|atomic layer deposition|AlN|channel mobility

要約(日本語): プラズマ支援ALDにより形成したAlSiOを絶縁膜として用いたp型GaNをチャネルとする横型MOSFETを作製した。界面制御層として極薄AlNを挿入することにより、チャネル移動度を改善しながら分極電荷によるしきい電圧制御を実現した。AlN界面層は結晶性でGaNに配向しており、界面に誘起される正の分極電荷はAlN膜厚増加に伴ってしきい値電圧を低下させるが、チャネル層へのMgドーピングによりしきい電圧は正に調整可能である。

要約(英語): Improvement of channel mobility and control of threshold voltages in AlSiO/p-GaN MOSFETs with AlN interlayers deposited by plasma-enhanced atomic layer deposition was demonstrated. AlN interlayers were crystallized oriented on GaN and could induce polarization charges. We successfully controlled the threshold voltages by controlling the AlN-IL thickness and the channel p-type doping.

本誌: 2024年7月5日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 25-28 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 587 Kバイト