酸化ガリウムデバイスのための窒素ドーピング技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD25041

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2025/04/13

タイトル(英語): Nitrogen Doping Technology for Gallium Oxide Devices

著者名: 東脇 正高(大阪公立大学),稲嶌 仁(大阪公立大学),上原 知起(大阪公立大学),寺村 祐輔(大阪公立大学),辻本 晃基(大阪公立大学),ワン ジェンウェイ(情報通信研究機構),本田 智子(大阪公立大学)

著者名(英語): Masataka Higashiwaki(Osaka Metropolitan University),Jin Inajima(Osaka Metropolitan University),Tomoki Uehara(Osaka Metropolitan University),Yusuke Teramura(Osaka Metropolitan University),Kohki Tsujimoto(Osaka Metropolitan University),Zhenwei Wang(National Institute of Information and Communications Technology),Satoko Honda(Osaka Metropolitan University)

キーワード: 酸化ガリウム|窒素|ドーピング|アクセプタ|トランジスタ|ショットキーバリアダイオード|gallium oxide|nitrogen|doping|acceptor|transistor|Schottky barrier diode

要約(日本語): 酸化ガリウム (Ga2O3) 中にドープした窒素 (N) は、ディープアクセプタとして働く。そのため、Nドープp-Ga2O3/n-Ga2O3接合において、約3 eVの高さのエネルギー障壁を形成することができる。本講演では、Ga2O3へのNドーピング技術、およびそのデバイス応用例について紹介する。

要約(英語): Nitrogen (N) doped in gallium oxide (Ga2O3) acts as a deep acceptor. Therefore, an energy barrier of about 3 eV can be formed at the N-doped p-Ga2O3/n-Ga2O3 junction. In this presentation, I will introduce N-doping techniques for Ga2O3 and their device applications.

本誌: 2025年4月16日-2025年4月17日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 1-5 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,977 Kバイト