AlN系分極ドーピング電界効果トランジスタの高周波動作

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD25045

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2025/04/13

タイトル(英語): RF Operation of AlN-Based Polarization-Doped Field Effect Transistors

著者名: 川崎 晟也(日本電信電話),廣木 正伸(日本電信電話),平間 一行(日本電信電話),熊倉 一英(日本電信電話),谷保 芳孝(日本電信電話)

著者名(英語): Seiya Kawasaki(Nippon Telegraph and Telephone),Masanobu Hiroki(Nippon Telegraph and Telephone),Kazuyuki Hirama(Nippon Telegraph and Telephone),Kazuhide Kumakura(Nippon Telegraph and Telephone),Yoshitaka Taniyasu(Nippon Telegraph and Telephone)

キーワード: 窒化アルミニウム|分極ドーピングトランジスタ|高周波増幅器|Aluminum Nitride|Polarization-Doped Field Effect Transistors|RF Amplifier

要約(日本語): Al組成を60％から100%へと線形に変化させた組成傾斜AlGaN層をチャネルとした分極ドープFETを作製し，その高周波特性を評価した．オンウェハSパラメータ測定からLg=0.2- μmの素子でft/fmax=18.9/67.8 GHzを得た(Vds=40 V)．得られたfmaxはAl組成50％以上のAlGaNチャネルFETのなかでは最も高い値であった．

要約(英語): A polarization-doped FET with a graded AlGaN channel (Al content, x, = 60?100%) was fabricated and its high-frequency performance was evaluated. From on-wafer S-parameter measurements, the fabricated device with Lg = 0.2 μm exhibied ft/fmax of 18.9/67.8 GHz (Vds = 40 V), the highest fmax among AlGaN-channel FETs with Al ? 50%.

本誌: 2025年4月16日-2025年4月17日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 25-30 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,753 Kバイト