サブテラヘルツ応用を見据えたAlGaN/GaNデュアルゲートHEMTの検討

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD25046

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2025/04/13

タイトル(英語): Investigation of AlGaN/GaN Dual-Gate HEMTs for Sub-Terahertz Applications

著者名: 安藤 裕二(名古屋大学),高橋 英匡(名古屋大学),牧迫 隆太郎(名古屋大学),分島 彰男(熊本大学),須田 淳(名古屋大学)

著者名(英語): Yuji Ando(Nagoya University),Hidemasa Takahashi(Nagoya University),Ryutaro Makisako(Nagoya University),Akio Wakejima(Kumamoto University),Jun Suda(Nagoya University)

キーワード: ＡｌＧａＮ／ＧａＮ|デュアルゲート　|高電子移動度トランジスタ　|AlGaN/GaN|Dual gate|HEMT

要約(日本語): ゲート長0.1～0.3 μmのSG構造およびDG構造のAlGaN/GaN HEMTを作製した。SG素子では短チャネル効果と電流コラプスが顕著であったが、DG素子ではこれらの現象の抑制に成功した。DG素子はSG素子より4dB以上高い電力利得を示した。高AlNモル分率・薄層化障壁層の採用により利得性能がさらに向上し、80 nmゲートのDG素子にて外挿fmaxとして248 GHzを得た。

要約(英語): We fabricated AlGaN/GaN HEMTs in both single-gate (SG) and dual-gate (DG) configurations. In the DG HEMTs, both short-channel effects and current collapse were effectively suppressed compared to the SG devices. The DG HEMT exhibited an increase in Mason’s U of more than 4dB compared to the SG HEMT with an equivalent gate length. Furthermore, the DG HEMT’s performance was further enhanced by employing a high AlN mole fraction and a thin barrier layer, achieving an fmax of 248 GHz.

本誌: 2025年4月16日-2025年4月17日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 31-34 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,411 Kバイト