窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの電流輸送機構の解明

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD25047

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2025/04/13

タイトル(英語): Current Transport of AlN-based Schottky Barrier Diodes

著者名: 前田 拓也(東京大学),若本 裕介(東京大学),佐々木 一晴(東京大学),棟方 晟啓(東京大学),廣木 正伸(NTT物性科学基礎研究所),平間 一行(NTT物性科学基礎研究所),熊倉 一英(NTT物性科学基礎研究所),谷保 芳孝(NTT物性科学基礎研究所)

著者名(英語): Takuya Maeda(The University of Tokyo),Yusuke Wakamoto(The University of Tokyo),Issei Sasaki(The University of Tokyo),Akihira Munakata(The University of Tokyo),Masanobu Hiroki(NTT Basic Research Laboratory, NTT Co.),Kazuyuki Hirama(NTT Basic Research Laboratory, NTT Co.),Kazuhide Kumakura(NTT Basic Research Laboratory, NTT Co.),Yoshitaka Taniyasu(NTT Basic Research Laboratory, NTT Co.)

キーワード: 窒化アルミニウム|ショットキー接合|熱電子電界放出|パワーデバイス|高温デバイス|Aluminum Nitride (AlN)|Schottky junction|Thermionic field emission|Power devices|High temperature devices

要約(日本語): 本研究では，窒化アルミニウム系ショットキーバリアダイオードの電流輸送特性を精密評価し，デバイス物理に根差した解析を行うことで，ほぼ理想的な熱電子電界放出が発現していることを明らかにした．また，その解析から得られた障壁高さは3.4 eVであり，容量-電圧特性から得られた値(3.5 eV)と一貫する値が得られた．これらの結果は，AlN系電子デバイスの発展に大きく寄与するものである．

要約(英語): The current transport of AlN-based Schottky barrier diodes were investigated. Nearly-ideal current-voltage characteristics were observed, which can be quantitatively explained by thermionic field emission (TFE).

本誌: 2025年4月16日-2025年4月17日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 35-39 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,526 Kバイト