m面チャネルAlSiO/AlN/p-GaN MOSFETにおける移動度向上とノーマリオフ動作

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD25048

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2025/04/13

タイトル(英語): High channel mobility and stable E-mode operation in AlSiO/AlN/m-plane p-GaN MOSFETs

著者名: 伊藤 健治(豊田中央研究所),成田 哲夫(豊田中央研究所),井口 紘子(豊田中央研究所),岩崎 四郎(豊田中央研究所),菊田 大悟(豊田中央研究所),狩野 絵美(名古屋大学),五十嵐 信行(名古屋大学),兼近 将一(名古屋大学),冨田 一義(名古屋大学),須田 淳(名古屋大学),加地 徹(名古屋大学)

著者名(英語): Kenji Ito(Toyota Central Reserch and Development Laboratories),Tetsuo Narita(Toyota Central Reserch and Development Laboratories),Hiroko Iguchi(Toyota Central Reserch and Development Laboratories),Shiro Iwasaki(Toyota Central Reserch and Development Laboratories),Daigo Kikuta(Toyota Central Reserch and Development Laboratories),Emi Kano(Nagoya University),Nobuyuki Ikarashi(Nagoya University),Masakazu Kanechika(Nagoya University),Kazuyoshi Tomita(Nagoya University),Jun Suda(Nagoya University),Tetsuo Kachi(Nagoya University)

キーワード: 窒化ガリウム|ＭＯＳＦＥＴ|分極電荷|界面層|窒化アルミニウム|チャネル移動度|GaN|MOSFET|polarization charge|interlayer|AlN|channel mobility

要約(日本語): AlSiO/AlN/p-GaN構造を有するトレンチゲート型MOSFETを作製しプレーナ型MOSFETと比較した。m面をチャネルとした場合においても高い実効移動度が得られると同時に、分極効果や焦電効果の消失により温度依存性の小さい安定したノーマリオフ動作が可能であることが分かった。

要約(英語): The trench-gate MOSFET having a AlSiO/AlN/p-type GaN gate structure is systematically compared to the planer MOSFET. The m-plane channel exhibits high effective mobility and demonstrates the advantage of the stable enhancement-mode operation with little temperature dependence by eliminating the polarization and the pyroelectric effects.

本誌: 2025年4月16日-2025年4月17日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 41-44 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 1,240 Kバイト