熱拡散で形成された組成傾斜AlGaN層を用いたGaN MOSFETの顕著な移動度向上技術

カテゴリ: 研究会(論文単位)

論文No: EDD25049

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門 電子デバイス研究会

発行日: 2025/04/13

タイトル(英語): Drastic Mobility Improvement Technique in GaN MOSFETs using Thermally Diffused Graded-AlGaN Layer

著者名: 近藤 剣(富士電機),上野 勝典(富士電機),田中 亮(富士電機),高島 信也(富士電機)

著者名(英語): Tsurugi Kondo(Fuji Electric),Katsunori Ueno(Fuji Electric),Ryo Tanaka(Fuji Electric),Shinya Takashima(Fuji Electric)

キーワード: ＧａＮ|ＭＯＳＦＥＴ|組成傾斜ＡｌＧａＮ|熱拡散|埋め込みチャネル|GaN|MOSFET|Graded AlGaN|Thermal Diffusion|Buried-Chnnel

要約(日本語): 本研究では、組成傾斜AGaNによる顕著な高移動度化とそのメカニズムについて報告する。GaN上にAlN保護膜を堆積させた状態で熱処理を行い、組成傾斜AlGaN層が形成されていることをEDX、EELSによって確認した。組成傾斜AlGaN層を形成したMOSFETは600cm2/Vsに達する高い電界効果移動度を示し、TCADシミュレーションからリモートチャネル効果であることが示された。

要約(英語): In this study, we report a drastic mobility improvement achieved using the graded AlGaN and its mechanisms. Annealing was performed with an AlN deposited on GaN, and the graded AlGaN layer was confirmed using EDX and EELS. MOSFETs with the graded AlGaN layer demonstrated a high field-effect mobility of 600 cm2/Vs, and TCAD simulations indicated that this is attributed to the remote channel effect.

本誌: 2025年4月16日-2025年4月17日電子デバイス研究会

本誌掲載ページ: 45-49 p

原稿種別: 日本語

PDFファイルサイズ: 2,913 Kバイト