DC-DCコンバータLSIパッケージ内蔵用Znフェライト厚膜プレーナパワーインダクタの試作

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門

発行日: 2011/07/01

タイトル(英語): Fabrication of a Zn-Ferrite Thick Film Planar Power Inductor for DC-DC Converter LSI Package

著者名: 岡崎　眞也（信州大学工学部），竹内　有沙子（東京工業大学応用セラミックス研究所），竹島　顕大（信州大学工学部），曽根原　誠（信州大学工学部），佐藤　敏郎（信州大学工学部），松下　伸広（東京工業大学応用セラミックス研究所）

著者名(英語): Shinya Okazaki (Faculty of Engineering, Shinshu University), Asako Takeuchi (Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology), Akihiro Takeshima (Faculty of Engineering, Shinshu University), Makoto Sonehara (Faculty of Engineering, Shinshu University), Toshiro Sato (Faculty of Engineering, Shinshu University), Nobuhiro Matsushita (Materials and Structures Laboratory, Tokyo Institute of Technology)

キーワード: Znフェライト厚膜，プレーナパワーインダクタ，POL，DC-DCコンバータ，LSIパッケージ　　Zn-ferrite thick film，planar power inductor，POL，DC-DC converter，LSI package

要約(英語): In order to realize the "POL (Point of Load)" dc-dc converter for LSIs, a Zn-ferrite thick film planar power inductor embedded in LSI package has been fabricated and evaluated in this study. 10 μm thick spin-sprayed Zn ferrite film with a high saturation magnetization of 0.57 T was introduced to the magnetic core for planer power inductor consisting of a 20 μm thick, 650 μm square, 2-turn inner copper spiral coil sandwiched by top and bottom magnetic core. Zn ferrite film had a natural resonance frequency of 500 MHz and a static relative permeability of 80. The planar power inductor with a footprint of 850×850 μm exhibited a 10 nH inductance and a quality factor of 20 at 100 MHz. The degradation of inductance owing to the superimposed dc current of 2A was 17%. The planar power inductor will be applied to low-voltage converter with hundreds megahertz switching operation in the future.

本誌: 電気学会論文誌A（基礎・材料・共通部門誌） Vol.131 No.7 （2011） 特集：高周波マイクロ磁気応用技術の最前線

本誌掲載ページ: 484-489 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/131/7/131_7_484/_article/-char/ja/