NLDプラズマ中のイオン生成維持および基板へのイオン入射量均一化のための磁界制御
NLDプラズマ中のイオン生成維持および基板へのイオン入射量均一化のための磁界制御
カテゴリ: 論文誌(論文単位)
グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門
発行日: 2012/04/01
タイトル(英語): Control of Magnetic Field for Sustainment of Ion Production and Uniform Ion Flux to Substrate in Neutral Loop Discharge Plasma
著者名: 吉田 拓平(北海道大学 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 集積システム講座 集積プロセス学研究室),櫻井 洋平(北海道大学 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 集積システム講座 集積プロセス学研究室),菅原 広剛(北海道大学 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 集積システム講座 集積プロセス学研究室),村山 明宏(北海道大学 大学院情報科学研究科 情報エレクトロニクス専攻 集積システム講座 集積プロセス学研究室)
著者名(英語): Takuhei Yoshida (Division of Electronics for Informatics, Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University), Yohei Sakurai (Division of Electronics for Informatics, Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University), Hirotake Sugawara (Division of Electronics for Informatics, Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University), Akihiro Murayama (Division of Electronics for Informatics, Graduate School of Information Science and Technology, Hokkaido University)
キーワード: NLDプラズマ,モンテカルロ法,イオン生成,均一エッチング,分界線 NLD plasma,Monte Carlo method,ion production,uniform etching,separatrix
要約(英語): We simulated the electron and ion motions in a neutral loop discharge plasma under the control of the foot of separatrix sweeping over a substrate and the neutral loop moving within a short distance from the RF antenna by a Monte Carlo method. We analyzed the distributions of ion production and ion flux to the substrate. We revealed that ion production is sensitive to the gradient of magnetic field rather than the electric field strength. Moreover, by superposing the flux distributions weighted by the passage time of the foot of separatrix on the substrate, we obtained a uniform time-averaged distribution of ion flux to the substrate in a radius range of r = 4.0-14.0 cm with σ/m = 0.25% (m: the average, σ: the standard deviation).
本誌: 電気学会論文誌A(基礎・材料・共通部門誌) Vol.132 No.4 (2012) 特集:プロセスプラズマの発生と応用
本誌掲載ページ: 278-283 p
原稿種別: 論文/日本語
電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/132/4/132_4_278/_article/-char/ja/
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