沿面放電プラズマを用いたSiエッチングの電源周波数依存性

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門

発行日: 2012/04/01

タイトル(英語): Frequency Dependence on Etching Characteristics of Silicon using Surface Discharge Plasma

著者名: 有村　拓也（宮崎大学大学院工学研究科電気電子工学専攻），平野　啓太（宮崎大学大学院工学研究科電気電子工学専攻），濱田　俊之（宮崎県企業局電気課），迫田　達也（宮崎大学大学院工学研究科電気電子工学専攻）

著者名(英語): Takuya Arimura (Graduate School of Engineering, University of Miyazaki), Keta Hirano (Graduate School of Engineering, University of Miyazaki), Toshiyuki Hamada (Miyazaki Prefectural Government, Public Enterprise Bureau Electricity Division), Tatsuya Sakoda (Graduate School of Engineering, University of Miyazaki)

キーワード: 沿面放電プラズマ，マスクレスエッチング，シリコン　　surface discharge，maskless etching，silicon

要約(英語): We proposed a maskless plasma etching technique for fabrication of front contact grooves on a single crystalline silicon solar cell. In this paper, we evaluated characteristics of silicon etching with various output frequency of ac power source. The etching rate in the direction of the groove width was suppressed while that in the direction of the groove depth increased with increasing output frequency of the power source. Thus, it was found that the increase of output frequency of a power source was effective in the case where the surface discharge plasma was applied to patterning.

本誌: 電気学会論文誌A（基礎・材料・共通部門誌） Vol.132 No.4 （2012） 特集：プロセスプラズマの発生と応用

本誌掲載ページ: 333-334 p

原稿種別: 研究開発レター／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/132/4/132_4_333/_article/-char/ja/