半導体プロセスへの自己組織化リソグラフィ応用

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門

発行日: 2013/10/01

タイトル(英語): Application of Directed Self-Assembly Lithography to Semiconductor Device Manufacturing Process

著者名: 清野　由里子（(株) 東芝　半導体研究開発センター），加藤　寛和（(株) 東芝　半導体研究開発センター），米満　広樹（(株) 東芝　半導体研究開発センター），佐藤　寛暢（(株) 東芝　半導体研究開発センター），菅野　正洋（(株) 東芝　半導体研究開発センター），小林　克稔（(株) 東芝　半導体研究開発センター），川西　絢子（(株) 東芝　半導体研究開発センター），東　司（(株) 東芝　半導体研究開発センター）

著者名(英語): Yuriko Seino (Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation), Hirokazu Kato (Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation), Hiroki Yonemitsu (Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation), Hironobu Sato (Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation), Masahiro Kanno (Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation), Katsutoshi Kobayashi (Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation), Ayako Kawanishi (Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation), Tsukasa Azuma (Center for Semiconductor Research & Development, Toshiba Corporation)

キーワード: 自己組織化，物理ガイド，ブロックコポリマー，PS-b-PMMA，コンタクトホールシュリンク，ウェット現像　　directed self assembly，graphoepitaxy，block copolymer，PS-b-PMMA，contact hole shrink，wet development

要約(英語): Directed self-assembly (DSA) lithography are recently getting in the spotlight as one of the most promising new generation lithography (NGL) candidates, which have a potential to fabricate semiconductor device patterns down to sub-30nm. In this report, latest experimental and simulation results of contact hole shrink process using the DSA are demonstrated.

本誌: 電気学会論文誌A（基礎・材料・共通部門誌） Vol.133 No.10 （2013） 特集：リソグラフィとその関連技術・応用技術

本誌掲載ページ: 532-536 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/133/10/133_532/_article/-char/ja/