半導体封止用ゲル中の沿面放電によるキャビテーションの進展現象

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門

発行日: 2014/05/01

タイトル(英語): Propagation of Cavities caused by Surface Discharges in Gel-filling for Semiconductors

著者名: 佐藤　正寛（東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻），熊田　亜紀子（東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻），日高　邦彦（東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻），山城　啓輔（富士電機（株）技術開発本部 先端技術研究所），早瀬　悠二（富士電機（株）技術開発本部 先端技術研究所），高野　哲美（富士電機（株）技術開発本部 先端技術研究所）

著者名(英語): Masahiro Sato (The University of Tokyo), Akiko Kumada (The University of Tokyo), Kunihiko Hidaka (The University of Tokyo), Keisuke Yamashiro (Fuji Electric Co., Ltd.), Yuji Hayase (Fuji Electric Co., Ltd.), Tetsumi Takano (Fuji Electric Co., Ltd.)

キーワード: 部分放電，ボイド，トリー，パワーモジュール，シリコーンゲル，沿面放電　　partial discharge，void，tree，power module，silicone gel，surface discharge

要約(英語): Silicone gel is widely used to encapsulate power electronic circuits. It is known that the weakness of this insulation system is the triple point which is composed of metallization, gel and substrate. Partial discharges (PDs) occurs at this triple point and propagates between gel and the substrate. The propagation of PDs gives rise to electrical degradation, which may lead to eventual failure of the insulation. Despite the fact, surface discharges in gel has not yet been studied enough. Therefore we have obtained images synchronized with the applied voltage. It showed that the degradation occurs when the applied voltage is positive.

本誌: 電気学会論文誌A（基礎・材料・共通部門誌） Vol.134 No.5 （2014）

本誌掲載ページ: 358-359 p

原稿種別: 研究開発レター／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/134/5/134_358/_article/-char/ja/