パワー半導体デバイス封止用ゲル中におけるボイド残留の一検討

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【A】基礎・材料・共通部門

発行日: 2014/06/01

タイトル(英語): Residual Voids in Degassing Process of Encapsulation Gel for Power Semiconductor Devices

著者名: 佐藤　正寛（東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻），熊田　亜紀子（東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻），日高　邦彦（東京大学大学院 工学系研究科 電気系工学専攻），山城　啓輔（富士電機(株)　技術開発本部　先端技術研究所），早瀬　悠二（富士電機(株)　技術開発本部　先端技術研究所），高野　哲美（富士電機(株)　技術開発本部　先端技術研究所）

著者名(英語): Masahiro Sato (The University of Tokyo), Akiko Kumada (The University of Tokyo), Kunihiko Hidaka (The University of Tokyo), Keisuke Yamashiro (Fuji Electric Co., Ltd.), Yuji Hayase (Fuji Electric Co., Ltd.), Tetsumi Takano (Fuji Electric Co., Ltd.)

キーワード: パワー半導体デバイス，ゲル，ボイド　　power semiconductor devices，gel，void

要約(英語): Residual voids in degassing process of encapsulation gel for a power device limit the lifetime and the performance of the device itself because of the partial discharges occurrence in it. In this paper the limit of the degassing capability is evaluated based on the equation of equilibrium. It turns out that the gas in defects such as holes and cracks at the rim of the chip-mounted electrode on ceramic substrates cannot be completely removed by vacuum degassing. Then the size of voids that are likely to form in defects is also calculated with a simple model. This analysis is also experimentally checked with a pierced PMMA plate. The measured results can be explained well by the above mentioned model.

本誌: 電気学会論文誌A（基礎・材料・共通部門誌） Vol.134 No.6 （2014）

本誌掲載ページ: 432-433 p

原稿種別: 研究開発レター／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejfms/134/6/134_432/_article/-char/ja/