高出力，広帯域特性を両立させた1μm帯スーパールミネッセントダイオード

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2013/08/01

タイトル(英語): 1.0μm High-power and Broad Spectral Bandwidth Superluminescent Diodes

著者名: 大郷　毅（富士フイルム（株） 先端コア技術研究所），向井　厚史（富士フイルム（株） 先端コア技術研究所），矢口　純也（富士フイルム（株） 先端コア技術研究所），浅野　英樹（富士フイルム（株） 先端コア技術研究所）

著者名(英語): Tsuyoshi Ohgoh (Frontier core-technology laboratories, FUJIFILM Corporation), Atsushi Mukai (Frontier core-technology laboratories, FUJIFILM Corporation), Junya Yaguchi (Frontier core-technology laboratories, FUJIFILM Corporation), Hideki Asano (Frontier core-technology laboratories, FUJIFILM Corporation)

キーワード: 半導体発光素子，高出力，広帯域，信頼性　　Semiconductor light source，high-power output，broadband spectrum，reliability

要約(英語): Semiconductor light emitting device with a high-power output and a broadband spectrum characteristic is valid as the light source for the optical sensing system. However, a high-power and a broadband spectrum characteristic are in the relation of the trade-off. We have successfully fabricated a broadband emitting diode by multiplying emission areas. This device has the performance of 1.4 times of spectrum width compared with the conventional identical output device. This result shows the device performance exceeds the conventional trade-off.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.133 No.8 （2013） 特集：パワー半導体光源とその応用技術

本誌掲載ページ: 1437-1442 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/133/8/133_1437/_article/-char/ja/