AlGaN系深紫外LEDの進展

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2013/08/01

タイトル(英語): Recent Progress of AlGaN-based Deep-UV LEDs

著者名: 平山　秀樹（独立行政法人理化学研究所），藤川　紗千恵（独立行政法人理化学研究所），鎌田　憲彦（埼玉大学工学部）

著者名(英語): Hideki Hirayama (RIKEN (The Institute of Physical and Chemical Research)), Sachie Fujikawa (RIKEN (The Institute of Physical and Chemical Research)), Norihiko Kamata (Saitama University)

キーワード: 深紫外LED，AlGaN，AlN，結晶成長，内部量子効率，MOCVD　　deep-UV LED，AlGaN，AlN，crystal growth，internal quantum efficiency，MOCVD

要約(英語): Deep-ultraviolet (DUV) light-emitting diodes (LEDs) are demanded for a wide variety of potential applications, such as sterilization, water and air purification, medical use, and so on. We have demonstrated 222-351nm AlGaN and quaternary InAlGaN-based DUV-LEDs by developing a low threading dislocation density (TDD) AlN crystal. We achieved an external quantum efficiency (EQE) of about 4% and an output power more than 30mW in DUV-LEDs for use in sterilization applications by developing new crystal growth techniques.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.133 No.8 （2013） 特集：パワー半導体光源とその応用技術

本誌掲載ページ: 1443-1448 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/133/8/133_1443/_article/-char/ja/