半極性{2021}面GaN基板上高出力純緑色レーザの開発

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2013/08/01

タイトル(英語): High-Power True Green Laser Diodes on Semipolar {2021} GaN Substrates

著者名: 片山　浩二（住友電気工業（株）半導体技術研究所），嵯峨　宣弘（住友電気工業（株）半導体技術研究所），上野　昌紀（住友電気工業（株）半導体技術研究所），池上　隆俊（住友電気工業（株）半導体技術研究所），中村　孝夫（住友電気工業（株）半導体技術研究所）

著者名(英語): Koji Katayama (Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor Technologies R&D Laboratories), Nobuhiro Saga (Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor Technologies R&D Laboratories), Masaki Ueno (Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor Technologies R&D Laboratories), Takatoshi Ikegami (Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor Technologies R&D Laboratories), Takao Nakamura (Sumitomo Electric Industries, Ltd. Semiconductor Technologies R&D Laboratories)

キーワード: 半極性，GaN，緑色，半導体レーザ　　semi-polar，GaN，green，semiconductor laser

要約(英語): InGaN green laser diodes (LDs) on semipolar {2021} GaN substrates with output powers of over 100mW in the spectral region beyond 530nm is demonstrated. Wall plug efficiencies as high as 7.0-8.9% are realized in the wavelength range of 525-532nm, which exceed those reported for c-plane LDs. The lifetime at a case temperature of 55℃ was estimated to be over 5000 hours for an optical output power of 50mW. These results suggest that InGaN green LDs on the {2021} plane are better suited as light sources for applications requiring wavelengths over 525nm.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.133 No.8 （2013） 特集：パワー半導体光源とその応用技術

本誌掲載ページ: 1449-1453 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/133/8/133_1449/_article/-char/ja/