高出力m面GaN基板上InGaN-LED

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2013/08/01

タイトル(英語): High Power InGaN-LED on m-plane GaN Substrate

著者名: 横川　俊哉（パナソニック（株） デバイス社　基盤技術開発センター），大屋　満明（パナソニック（株） デバイス社　基盤技術開発センター），藤金　正樹（パナソニック（株） デバイス社　基盤技術開発センター）

著者名(英語): Toshiya Yokogawa (Panasonic Corporation, Industrial Devices Company), Mitsuaki Oya (Panasonic Corporation, Industrial Devices Company), Masaki Fujikane (Panasonic Corporation, Industrial Devices Company)

キーワード: GaN，InGaN，発光ダイオード，固体照明，MOCVD，高出力　　GaN，InGaN，LED，Solid state lighting，MOCVD，High power

要約(英語): Growing demands for reduction of energy consumption and environmental impact are rapidly leading to the spread of solid state LED lighting with low power consumption and high reliability. To meet these demands, we are developing high efficiency and high power LED on GaN substrate. High optical output power of 1.23W at 1A was obtained by using the technologies which are epitaxial growth of high quality m-plane InGaN on GaN substrate and low contact resistance electrode. The m-plane InGaN-LED realized the quite small external-efficiency droop of about 20% up to 500A/cm2, while large droop seriously occurs in polar c-plane (0001) InGaN LED.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.133 No.8 （2013） 特集：パワー半導体光源とその応用技術

本誌掲載ページ: 1454-1460 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/133/8/133_1454/_article/-char/ja/