近赤外横シングルモード半導体レーザの高温における電気-光変換効率の改善

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2013/08/01

タイトル(英語): Improvement of Wall Plug Efficiency in Near Infrared Lateral Single-mode LDs at High Temperature

著者名: 八木　哲哉（三菱電機（株） 高周波光デバイス製作所），丸山　拓人（三菱電機（株） 高周波光デバイス製作所），楠　政諭（三菱電機（株） 高周波光デバイス製作所），島田　尚往（三菱電機（株） 高周波光デバイス製作所），宮下　宗治（三菱電機（株） 高周波光デバイス製作所）

著者名(英語): Tetsuya Yagi (High Freq. & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation), Takuto Maruyama (High Freq. & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation), Masayuki Kusunoki (High Freq. & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation), Naoyuki Shimada (High Freq. & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation), Muneharu Miyashita (High Freq. & Optical Device Works, Mitsubishi Electric Corporation)

キーワード: 変換効率，半導体レーザ，横シングルモード，近赤外，AlGaInP　　wall plug efficiency，laser diode，lateral single mode，near infrared，AlGaInP

要約(英語): Wall plug efficiency (WPE) of 830nm single mode LD is dramatically improved with AlGaInP material. Conventional near infrared LDs based on AlGaAs have poor temperature characteristics due to small energy gap in conduction band between a p-cladding layer and an active layer, resulting poor WPE at high temperature. An AlGaInP based LD is a most effective candidate for the excellent characteristics because of the large gap. A high power 830nm LD is newly designed based on AlGaInP. The LD shows excellent WPE around 40% at 400mW, CW output, 60℃ case temperature. They also show very stable operation at the condition up to 1,100 hours.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.133 No.8 （2013） 特集：パワー半導体光源とその応用技術

本誌掲載ページ: 1471-1475 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/133/8/133_1471/_article/-char/ja/