ECRプラズマ法によって作製したGe-MIS構造における界面近傍トラップのDLTS評価

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2013/08/01

タイトル(英語): DLTS Evaluation of Near-Interface Traps in Ge-MIS Structures Fabricated by ECR-Plasma Techniques

著者名: 岡本　浩（弘前大学），成田　英史（弘前大学），佐藤　真哉（弘前大学），岩崎　拓郎（弘前大学），小野　俊郎（諏訪東京理科大学），王谷　洋平（諏訪東京理科大学），福田　幸夫（諏訪東京理科大学）

著者名(英語): Hiroshi Okamoto (Hirosaki University), Hidehumi Narita (Hirosaki University), Shinya Sato (Hirosaki University), Takuro Iwasaki (Hirosaki University), Toshiro Ono (Tokyo University of Science, Suwa), Yohei Otani (Tokyo University of Science, Suwa), Yukio Fukuda (Tokyo University of Science, Suwa)

キーワード: DLTS，Ge-MIS，ECRプラズマ窒化，ECRスパッタ　　DLTS，Ge-MIS，ECR plasma nitridation，ECR sputtering

要約(英語): A Ge-MIS structure has attracted attention for the candidate of a next generation CMOS device. To date, we have successfully developed Ge-MIS structures with superior interface qualities by ECR (Electron Cyclotron Resonance) plasma techniques. In addition, we have shown that DLTS (Deep Level Transient Spectroscopy) method is useful for evaluating the Ge-MIS structures. In this report, we have evaluated the near-interface traps in GeNx/Ge structures by DLTS method, and have evaluated the effect of annealing on reducing the traps. The traps observed in the Ge-MIS samples were greatly reduced by 400℃ annealing. The origins of the traps are also discussed by comparing with the traps in germanium reported to date.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.133 No.8 （2013） 特集：パワー半導体光源とその応用技術

本誌掲載ページ: 1481-1484 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/133/8/133_1481/_article/-char/ja/