ゲーテドクロックシステムへのNBTI起因デバイス劣化のインパクト

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2014/03/01

タイトル(英語): Impact of Device Degradation Due to NBTI on Gated Clock Systems

著者名: 黒川　敦（弘前大学），星　誠（弘前大学），渡邊　眞之（弘前大学）

著者名(英語): Atsushi Kurokawa (Hirosaki University), Makoto Hoshi (Hirosaki University), Masayuki Watanabe (Hirosaki University)

キーワード: 負バイアス温度不安定性，ゲーテドクロック，セットアップ時間，信頼性，レジスタ　　NBTI，gated clock，setup time，reliability，register

要約(英語): On the system with gated clock, NBTI causes the unbalanced degradation in the threshold voltage of PMOSFETs. In this paper, we clarify the impact of NBTI degradation on timing characteristics such as setup time, hold time and clock skew. We demonstrate that the maximum operating frequency regarding setup time violation becomes worse, hold time constraint becomes better, and clock skew after a gated clock cell operates better with stopped time.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.134 No.3 （2014） 特集：情報環境と人間の調和に向けた工学技術

本誌掲載ページ: 355-361 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/134/3/134_355/_article/-char/ja/