超音速N2分子線により誘起されるAlN薄膜形成過程の表面温度依存性

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2014/04/01

タイトル(英語): Surface Temperature Dependence on AlN Film Formation Processes Induced by Supersonic N2 Molecular Beam

著者名: 寺岡　有殿（（独）日本原子力研究開発機構），神農　宗徹（兵庫県立大学），高岡　毅（東北大学），James Robert Harries （（独）日本原子力研究開発機構），岡田　隆太（筑波大学），岩井　優太郎（兵庫県立大学），吉越　章隆（（独）日本原子力研究開発機構），米田　忠弘（東北大学）

著者名(英語): Yuden Teraoka (Japan Atomic Energy Agency), Muneaki Jinno (University of Hyogo), Tsuyoshi Takaoka (Tohoku University), James Robert Harries (Japan Atomic Energy Agency), Ryuta Okada (University of Tsukuba), Yutaro Iwai (University of Hyogo), Akitaka Yoshigoe (Japan Atomic Energy Agency), Tadahiro Komeda (Tohoku University)

キーワード: AlN，窒化膜，光電子分光，超音速分子線，放射光　　aluminum nitride，nitride layer，photoemission spectroscopy，supersonic molecular beam，synchrotron radiation

要約(英語): Surface temperature dependence on the translational energy induced nitridation of Al(111) has been investigated by using synchrotron radiation photoemission spectroscopy. Incubation time for N1s photoemission onset was found to be longer at lower temperatures than 473 K, indicating precursor formation followed by proper nitridation. The major product is the three-fold N atom. The minor four-fold one decreased at higher temperatures. Three step reaction mechanisms, that is, translational energy induced nitridation, precursor formation, and proper nitridation of the precursor states, were presented.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.134 No.4 （2014） 特集：量子ビームによるナノバイオ物理応用技術

本誌掲載ページ: 524-525 p

原稿種別: 研究開発レター／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/134/4/134_524/_article/-char/ja/