塗布グラフェン電極を用いた有機／無機ハイブリッドCMOS素子の形成

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2015/02/01

タイトル(英語): Fabrication of Organic/inorganic Hybrid CMOS Devices using Solution-processed Graphene Electrodes

著者名: 菅沼　洸一（埼玉大学 大学院理工学研究科），白井　肇（埼玉大学 大学院理工学研究科），上野　啓司（埼玉大学 大学院理工学研究科）

著者名(英語): Koichi Suganuma (Graduate School of Science and Engineering, Saitama University), Hajime Shirai (Graduate School of Science and Engineering, Saitama University), Keiji Ueno (Graduate School of Science and Engineering, Saitama University)

キーワード: グラフェン，TIPSペンタセン，酸化亜鉛，CMOS素子，塗布電極　　graphene，TIPS-pentacene，zinc oxide，CMOS device，solution-processed electrode

要約(英語): Complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) inverter circuits were fabricated using solution-processed field-effect transistors (FETs); p-type FET of 6,13-bis(triisopropylsilylethynyl)pentacene (TIPS-pentacene) and n-type FET of Li-doped ZnO. As the source/drain electrodes of these FETs, reduced graphene oxide (RGO) films were prepared also by the solution process. The fabricated CMOS inverter device showed the voltage gain of 10.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.135 No.2 （2015） 特集：フレキシブルフィルムデバイスのための材料・プロセスと評価技術

本誌掲載ページ: 156-159 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/135/2/135_156/_article/-char/ja/