III-V族チャネルを持つMOSFET

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2016/04/01

タイトル(英語): MOSFET with III-V Channel

著者名: 宮本　恭幸（東京工業大学電子物理工学専攻）

著者名(英語): Yasuyuki Miyamoto (Dept. Physcal Electron., Tokyo Institute of Technology)

キーワード: InGaAs MOSFET，界面準位，高キャリヤ濃度ソース，短チャネル，マルチゲートFET，Si基板上のInGaAs薄膜　　InGaAs MOSFET，interface state density，source with high carrier concentration，short channel，multi-gate FETs，InGaAs films on Si

要約(英語): Present status of III-V channel MOSFET is reported. Progress of Si MOSFET requires successive technology boosters and next candidate as technology booster is high mobility channel. In case of Ge, sufficient contact cannot be obtained in n-MOSFET. Thus, III-V channel became the candidate of high mobility channel in n-MOSFET. At present, interface state density around 1×1012 eV -1cm-2 by using ALD, high current density > 2 A/mm @VDD=0.5 V are reported. Formation of InGaAs film on large scale Si wafer is also reported. However, ultrathin channel taking short channel effect into account degrades mobility. Multi-gate FET and improvement of MIS interface are required for realization of high on-current in short channel devices.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.136 No.4 （2016） 特集：最新の化合物半導体デバイスとその応用技術

本誌掲載ページ: 437-443 p

原稿種別: 解説／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/136/4/136_437/_article/-char/ja/