Mg斜めイオン注入GaN MISFET

カテゴリ: 論文誌(論文単位)

グループ名: 【C】電子・情報・システム部門

発行日: 2016/04/01

タイトル(英語): GaN MISFETs Using Tilt Angle Ion Implantation of Magnesium

著者名: 葛西　駿（法政大学大学院理工学研究科），及川　拓弥（法政大学大学院理工学研究科），木村　純（法政大学大学院理工学研究科），小川　弘貴（法政大学大学院理工学研究科），三島　友義（法政大学大学院理工学研究科），中村　徹（法政大学大学院理工学研究科）

著者名(英語): Hayao Kasai (Department of Electrical and Electronics Engineering, Hosei University), Takuya Oikawa (Department of Electrical and Electronics Engineering, Hosei University), Jun Kimura (Department of Electrical and Electronics Engineering, Hosei University), Hiroki Ogawa (Department of Electrical and Electronics Engineering, Hosei University), Tomoyoshi Mishima (Department of Electrical and Electronics Engineering, Hosei University), Tohru Nakamura (Department of Electrical and Electronics Engineering, Hosei University)

キーワード: 窒素ガリウム，マグネシウム，電界効果トランジスタ，しきい値，イオン注入　　GaN，Mg，MISFET，Threshold Voltage，Ion Implantation

要約(英語): This paper demonstrates the impact of tilted Mg ion implantation for the threshold voltage control of GaN MISFETs for the first time. The threshold voltage of the MISFETs by using Mg implantation shifts up to -1 V, whereas that without Mg ion implantation is about -8 V. The GaN MISFET achieved maximum drain current of 165 mA/mm and an extrinsic transconductance of 30 mS/mm. These results indicate a definite availability of our process in normally-off GaN MISFETs for power switching device applications.

本誌: 電気学会論文誌C（電子・情報・システム部門誌） Vol.136 No.4 （2016） 特集：最新の化合物半導体デバイスとその応用技術

本誌掲載ページ: 444-448 p

原稿種別: 論文／日本語

電子版へのリンク: https://www.jstage.jst.go.jp/article/ieejeiss/136/4/136_444/_article/-char/ja/